山本鍍金  電鍍設備   過濾器10B型

山本鍍金  電鍍設備   過濾器10B型

半導體晶圓電鍍標準實驗槽，面向高校、研究所、封測 / 芯片研發實驗室，用來篩選鍍液、驗證電鍍工藝、做樣片打樣，兼顧少量小批量樣品制備；對標同類型晶圓旋轉電鍍實驗單元，屬于行業內認可度很高的標準機型，

特點與優勢

1. 晶圓自轉 + 槳葉往復攪拌雙對流流場晶圓 0~80rpm 可調自轉，搭配槳式擾動，配合溢流循環，槽內鍍液更新快，降低濃差極化，改善高深寬比結構填孔能力，整片晶圓鍍層均勻性好，減少中心 / 邊緣偏差。

2. 溢流穩壓 + 循環過濾系統恒液面溢流設計，浸入深度穩定，多次實驗重復性強；內置精密過濾，減少鍍液顆粒，降低針孔麻點缺陷，適合精密凸點、薄金屬布線工藝。

3. 模塊化夾具，單面 / 雙面可選，抑制爬鍍標配陰極夾具，分標準型、密封型、真空吸引密封夾具；密封夾具只在開口區域電鍍，抑制側邊爬鍍、漏電，適合 UBM、RDL 單面電鍍；STD 型號支持雙面同步電鍍，一次完成正反面鍍層

4. 完整配套生態，可自由組合可搭配原廠 A-57 系列精密電鍍電源、YPT/YTC 溫控器、PFA / 石英加熱組件，溫控、電流、攪拌獨立可調；支持直流、脈沖電鍍，適配銅、鎳、金、錫、合金等多種鍍液體系。

5. 材質防腐、合規性好主體亞克力，強酸體系可升級 PVDF；CE、UKCA 認證，符合 IEC 安全標準，潔凈實驗室適配；本體為實驗槽單元，體積小巧，占用通風櫥空間小

應用場景

1. 先進封裝：TSV 硅通孔填銅、RDL 重布線、UBM 底層金屬、微凸點（Bump）電鍍工藝開發、鍍液添加劑篩選

2. MEMS、傳感器：硅基微結構、微流控器件、LIGA 厚金屬結構電鍍研發

3. 功率半導體：SiC、GaAs 等化合物晶圓電極金屬化實驗

4. 科研方向：高校、中科院、微電子實驗室，電鍍機理、鍍層應力、均勻性、合金鍍層研究

5. 光伏、微納器件：硅片電極、薄膜金屬化、掩膜后圖形電鍍小試打樣